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7 月 10 日消息,工商時報今天報道稱,在 SK 海力士、三星、美光三巨頭的大力推動下,2025 年高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片每月總產(chǎn)能為 54 萬顆,相比較 2024 年增加 27.6 萬顆,同比增長 105%。
高帶寬內(nèi)存是一種基于 3D 堆棧工藝的高性能 DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應(yīng)用場合,與高性能圖形處理器、網(wǎng)絡(luò)交換及轉(zhuǎn)發(fā)設(shè)備(如路由器、交換器)、高性能數(shù)據(jù)中心的 AI 特殊應(yīng)用集成電路結(jié)合使用,可以大幅減少半導(dǎo)體的功率和面積。
HBM 是 AI 加速卡成本占比最高的零件,有媒體拆解英偉達 H100 芯片,物料成本約為 3000 美元(IT之家備注:當前約 21847 元人民幣),其中 SK 海力士供應(yīng)的 HBM 成本就高達 2000 美元(當前約 14565 元人民幣),占比 66%。
三大巨頭現(xiàn)狀
SK 海力士和美光目前仍是 HBM 的主要供應(yīng)商,兩家公司都采用 1beta 納米工藝,并已向英偉達出貨。
集邦咨詢認為采用 1Alpha nm 工藝的三星預(yù)計將在第二季度完成認證,并于今年年中開始供貨。
三大巨頭擴產(chǎn)計劃
三星正在逐步升級其在韓國的平澤工廠(P1L、P2L 和 P3L),以便用于 DDR5 和 HBM。
同時,華城工廠(13/15/17 號生產(chǎn)線)正在升級到 1α 工藝,僅保留 1y / 1z 工藝的一小部分產(chǎn)能,以滿足航空航天等特殊行業(yè)的需求。
SK 海力士以南韓利川市 M16 產(chǎn)線生產(chǎn) HBM,并著手將 M14 產(chǎn)線升級為 1α/1β 制程,以供應(yīng) DDR5 和 HBM 產(chǎn)品。
此外,無錫廠目前正積極將制程由 1y/1z 升級到 1z/1α,分別用于生產(chǎn) DDR4 及 DDR5 產(chǎn)品。
美光 HBM 前段在日本廣島廠生產(chǎn),產(chǎn)能預(yù)計今年第四季提升至 2.5 萬顆;長期將引入 EUV 制程(1γ、1δ),并建置全新無塵室。
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